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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射制备堵片传感器薄膜
射频离子源 RFCIP220 溅射制备堵片传感器薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积制备碳薄膜
北京某研究院采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积制备碳薄膜, 同时在室温和无催化层衬底的条件下, 探究离子束能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜的影响. 伯东 KRI 射频离子源
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 MoN 薄膜
MoN薄膜是一种具有潜在应用价值的薄膜材料, 但对于其结构和性能的研究还较少. 因此,广州某研究机构采用KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 在 304 不锈钢基体表面溅射沉积 MoN薄膜
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 ZrAlN 薄膜
伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助磁控溅射沉积的方法在钛合金和单晶 Si 上沉积不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 制备 YIG 薄膜
RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法在 SrTiO3基片上制备 YIG 薄膜, 研究不同溅射参数对薄膜表面形貌、微观结构和磁性能的影响. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜
研究中采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积钛薄膜做加热电路提高器件温度,从而提高光波导器件中硅材料的折射率. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 ZnNi 合金薄膜
沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表面形貌的影响. 采用 KRI 考夫曼
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 用于溅射沉积硅片金属薄膜
某微电子制造商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积硅片金属薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积纳米纯 Ti 薄膜
的研究中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积纳米纯 Ti 薄膜, 制备出的纯Ti薄膜可集膜层致密光滑、沉积速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等优点. 伯东 KRI 射频
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 辅助溅射沉积 MnZn 铁氧体薄膜
其特性, 乃至最终制作成平面化、小型化的磁性器件显得尤为重要. 四川某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助磁控溅射沉积方法在 Si(100)/ Si(111) 和玻璃基片
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